[发明专利]设备制造方法和基片有效
| 申请号： | 200580005601.0 | 申请日： | 2005-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN1922718A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | R·J·M·佩伦斯 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285;G03F7/004;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 廖凌玲 |
| 地址： | 荷兰费*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 公开了一种利用电磁照射在单步曝光过程中制造T门的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 设备 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种设备制造方法，包括：在一基片上提供第一层电磁照射敏感材料；在所述第一层电磁照射敏感材料上提供第二层电磁照射敏感材料，所述第二层照射敏感材料是与第一层照射敏感材料不同的材料；利用照射系统提供电磁照射束；通过采用图形形成设备向所述照射束在其横截面上提供一预期的图形；以及将所述图形化的照射束投影到所述第一和第二层照射敏感材料的目标部分上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
