[发明专利]带有磁性隧道结以热辅助方式写入的磁存储器及其写入方法无效
| 申请号： | 200580005654.2 | 申请日： | 2005-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN1922694A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | J·－P·诺兹雷斯;B·迪尼;O·勒东;R·索萨;I·－L·普雷比努 | 申请（专利权）人： | 法国国家科学研究中心;法国原子能委员会 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘春元;王忠忠 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及以热辅助的方式进行写入的磁存储器，每个存储点(40)包含一个磁性隧道结，并且存储器与形成隧道结各层的平面平行的横截面是圆形或基本是圆形的。所述隧道结至少包含具有固定磁化方向的一层俘获层(44)、具有可变磁化方向的一层释放层(42)、以及设置在释放层(42)和俘获层(44)之间的一层绝缘层(43)。按照本发明，释放层(42)由至少一层软磁层和一层俘获层(41)形成，这两层通过接触而形成磁性耦合；而读取存储器或静止存储器的工作温度选择为分别低于释放层和俘获层的阻断温度。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 磁性 隧道 辅助 方式 写入 磁存储器 及其 方法 | ||
【主权项】：
1、以热辅助的方式进行写入的磁存储器，该磁存储器的每个存储点(40、60)由一个磁性隧道结形成，并且它与形成隧道结各层的平面相平行的横截面是圆形或近似圆形的，所述隧道结至少包含：-参考磁层(44、64)，也称为“俘获层”，其磁化为固定方向；-存储磁层(42、62)，也称为“释放层”，其磁化方向是可变的；-放置在释放层(42、62)和俘获层(44、64)之间的绝缘层(43、63)，其中，存储层(42、62)由至少一层软磁层，即具有降低的磁性各向异性，和一层阻止层(41、61)形成，这两层通过接触而形成磁性耦合；其中，读取或静止时，存储器的工作温度选择为分别低于释放层和俘获层的阻断温度。
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