[发明专利]高压PMOS晶体管有效
| 申请号： | 200580005842.5 | 申请日： | 2005-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN101124680A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 马丁·克奈普 | 申请（专利权）人： | 奥地利微系统股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 奥地利翁特*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高压PMOS晶体管，其具有绝缘栅电极(18)、在n型阱(11)中的p型源(15)、在设置在该n阱内的p型阱(12)中的p型漏(14)、以及具有在栅电极和漏之间的场氧化物区(13)。与在源(15)下方的深度相比，在漏(14)下方的n型阱的深度(A′－B′)更小，并且在漏(14)下方的p型阱的深度(A′－C′)最大。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 pmos 晶体管 | ||
【主权项】：
1.高压PMOS晶体管，其具有绝缘栅电极(18)、在n型导电阱(11)中的p型导电源区(15)、在设置在所述n阱内的p型导电阱(12)中的p型导电漏区(14)，以及具有在栅电极和漏区之间的场氧化物区(13)，其中与在所述源区(15)的下方相比，在所述漏区(14)下方的所述n型导电阱的深度(A′-B′)更小，并且在所述漏区(14)下方的所述p型导电阱的深度(A′-C′)最大。
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