[发明专利]离子源无效
| 申请号： | 200580005916.5 | 申请日： | 2005-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN1922709A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | P·班克斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种控制可电离的源气体的离子的影响的方法，通过将置换气体的离子引入电弧室，该源气体能够与电弧室的内表面反应，在所述电弧室中，该置换气体离子与内表面的物质比与源气体的离子更易进行化学反应。在内表面含钨的情况下，所述源气体离子一般可以是氧离子，那么置换气体离子一般是氟离子。举例而言，氟离子可以选自氟、四氟化硅或者三氟化氮。 | ||
| 搜索关键词： | 离子源 | ||
【主权项】：
1.一种生产用于衬底注入的离子的方法，包括：提供具有电极的电弧室，所述电极所具有的暴露表面的材料可以与氧反应，形成不导电的氧化物层；向所述电弧室供应含氧原子的源气体；在所述电弧室中的所述电极之间产生电弧以产生等离子体，在所述等离子体中，用于注入所需的离子种类形成于所述源气体，所述等离子体包含氧离子；以及向所述电弧室同时供应所述源气体以及包含氟原子的置换气体，从而使所述电极表面的所述材料与来自于所述置换气体的氟反应来置换氧，以减少所述氧化物层的形成。
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