[发明专利]气相生长装置有效
| 申请号： | 200580005977.1 | 申请日： | 2005-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN1965390A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 清水英一;牧野修仁;川边学 | 申请（专利权）人： | 日矿金属株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张天安;廖凌玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种气相生长装置，可在晶片面内的整个区域气相生长具有良好均匀性的薄膜，该气相生长装置至少包括：可密闭的反应炉；晶片收容机构(晶片保持器)，设置在该反应炉内，具有在表面侧保持晶片用的晶片放置部(配置孔)；气体供给机构(气体导入管)，用来向着晶片供给原料气体；用来加热上述晶片的加热机构(加热器)；均热机构(托座)，既保持上述晶片收容机构，又使来自上述加热机构的热量均匀化，在上述反应炉内，一边通过上述加热机构经上述均热机构以及上述晶片收容机构加热晶片，一边在高温状态下供给原料气体，由此使生长膜形成在上述晶片表面上，其中，在上述晶片收容机构的背面侧形成呈拱状下凹的凹部。 | ||
| 搜索关键词： | 相生 装置 | ||
【主权项】：
1.一种气相生长装置，至少包括：可密闭的反应炉；晶片收容机构，设置在该反应炉内，具有在表面侧保持晶片用的晶片放置部；气体供给机构，用来向着晶片供给原料气体；加热机构，用来加热上述晶片；均热机构，既保持上述晶片收容机构，又使来自上述加热机构的热量均匀化，在上述反应炉内，一边通过上述加热机构经上述均热机构以及上述晶片收容机构加热晶片，一边在高温状态下供给原料气体，由此使生长膜形成在上述晶片表面上，其特征在于，上述晶片收容机构在背面侧形成有呈拱状下凹的凹部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
