[发明专利]在高介电常数的介电材料上的硅的氮氧化物层的形成

摘要

本发明的实施例提供了在设置在衬底上的介电层上沉积覆盖层的方法。在一实施例中，一种工艺包括暴露衬底在沉积工艺中以在其上形成介电层，在沉积工艺期间暴露该衬底于硅前驱物脉冲和氧化气体的顺序脉冲中以在该介电层上形成含硅的层，暴露该衬底于氮化工艺中以在其上形成覆盖层，暴露该衬底在退火工艺中预定的时间。该覆盖层可为约5或更薄的厚度。在一实例中，该氧化气体含有通过含有催化剂的水蒸气产生器处理氢源气体和氧源气体生成的水蒸气。在另一实例中，沉积、氮化和退火工艺在同一工艺腔室中进行。

主权项

1.一种用于在设置在衬底上的介电层上沉积覆盖层的方法，包括：暴露衬底在沉积工艺中以在其上形成介电层；在沉积工艺期间，暴露该衬底在硅前驱物和氧化气体的顺序脉冲中以在该介电层上形成含硅的层；暴露该衬底在氮化工艺中以在其上形成覆盖层；以及暴露所述衬底在退火工艺以形成覆盖层。