[发明专利]表面声波装置有效

专利信息
申请号: 200580006792.2 申请日: 2005-02-23
公开(公告)号: CN1926762A 公开(公告)日: 2007-03-07
发明(设计)人: 西山健次;高田英一;中尾武志;门田道雄 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H03H9/145 分类号: H03H9/145;H01L41/00;H03H9/25
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 陈瑞丰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种表面声波装置,使得可以容易调节共振频率和中心频率,频率-温度性质优良,比例带宽宽,并且反共振阻抗高。该表面声波装置包括机电系数为15%或更高的LiTaO3或LiNbO3的压电基板(1);至少一个电极,所述电极形成在压电基板(1)上并且是层压薄膜,所述层压薄膜具有由密度大于Al的金属或主要由该金属构成的合金的金属层作为主金属层,和层压在主金属层上由另一金属构成的金属层;和第一SiO2层(2),该层形成在除形成所述至少一个电极的区域以外的剩余区域中,并且具有约等于电极厚度的厚度。上述表面声波装置还包含密度为第一SiO2层(2)密度的1.5倍或更高并且覆盖所述电极和第一SiO2层(2)的第二SiO2层(6),和形成在第二SiO2层(6)上的氮化硅化合物层(22)。
搜索关键词: 表面 声波 装置
【主权项】:
1.一种表面声波装置,包含:LiTaO3或LiNbO3的压电基板,所述压电基板的机电系数为15%或更高;至少一个电极,所述电极形成在压电基板上并且是层压体,所述层压体具有由密度大于Al密度的金属或主要由该金属构成的合金的金属层作为主金属层,和层压在主金属层上并且由另一金属构成的金属层;和第一SiO2层,该层形成在除形成所述至少一个电极的区域以外的剩余区域中,并且具有约等于电极厚度的厚度,其中所述电极的密度为第一SiO2层密度的1.5倍或更高,并且还提供为覆盖所述电极和第一SiO2层而形成的第二SiO2层,和形成在第二SiO2层上的氮化硅化合物层。
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