[发明专利]沟槽器件的自对准接触结构

摘要

一种沟槽型功率半导体器件的制造流程，包括在半导体表面上形成具有开口的掩膜层。通过掩膜层的开口，在半导体本体中形成具有栅极的沟槽。之后，在栅极的顶上以及掩膜层的开口内形成绝缘插块。然后移除该掩膜层，留下在半导体表面上延伸的绝缘插块。在沟槽之间形成源极注入区域。然后，沿着绝缘插块的侧壁形成间隔物，覆盖源极注入区域邻接沟槽的部分。使用这些间隔物作为掩膜，然后蚀刻和移除源极注入区域的暴露部分。然后驱动在间隔物之下的剩余源极注入区域以形成源极区域。然后，在蚀刻区域内形成浅的高传导率接触区域。因此在器件上形成了源极和漏极接触。

主权项

1. 一种制造功率半导体器件的方法，包括以下步骤：在第一导电类型的半导体本体的表面上形成第一掩膜层；图形化具有多个第一开口的所述第一掩膜层，其中所述多个第一开口的每一个向所述半导体本体的表面延伸；通过所述的第一开口由蚀刻所述半导体本体在所述半导体本体内定义沟槽；在每一所述沟槽内形成栅极电极；在每一所述栅极电极顶上形成绝缘插块，每一插块延伸到所述半导体本体的表面上，并且延伸进入所述掩膜层的各自的第一开口；沿着每一所述绝缘插块的侧壁形成间隔物，其中所述间隔物定义到所述半导体本体表面的第二开口；和使用所述间隔物形成沿着所述半导体本体表面并对准到邻接沟槽的第二导电类型的区域。