[发明专利]具有多种隔离体绝缘区宽度的集成电路有效
| 申请号： | 200580006812.6 | 申请日： | 2005-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN1926693A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 陈建;万斯·H·阿德姆斯;叶祖飞 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L31/113;H01L31/119;H01L21/8238;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李春晖 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种同时具有隔离体绝缘区宽度不同的P沟道晶体管(823)和N沟道晶体管(821)的集成电路。在一个例子中，在将P沟道区(115)掩蔽的同时去除N沟道晶体管的外侧侧壁隔离体(321)，使得N沟道晶体管的隔离体绝缘区宽度小于P沟道晶体管的隔离体绝缘区宽度。另外，与P沟道源/漏硅化物区(809)和这些晶体管的栅极(119)之间的距离相比，N沟道晶体管的漏/源硅化物区(805)更靠近这些晶体管的栅极(117)。通过使P沟道晶体管具有更大的隔离体绝缘宽度并使源/漏硅化物区和栅极间的距离更大，可以相对于N沟道晶体管的沟道区的应力提高P沟道晶体管的沟道区的相对压应力，从而提高P沟道晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多种 隔离 绝缘 宽度 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包括：基片；基片上的N沟道晶体管的第一栅极；基片上的P沟道晶体管的第二栅极；靠近第一栅极、在其基部具有第一宽度的第一隔离体绝缘区；以及靠近第二栅极、在其基部具有第二宽度的第二隔离体绝缘区，第二宽度大于第一宽度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞思卡尔半导体公司，未经飞思卡尔半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580006812.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：车轮驱动装置
- 下一篇：复合粒子和包覆复合粒子
- 同类专利
- 专利分类
