[发明专利]具有很小尺寸的读出二极管的集成电路

摘要

本发明涉及设置在半导体衬底上方以及设置在两个电极之间形成的二极管上方的导电集成电路。为了获得很小尺寸的二极管，进行以下步骤：建立电极(ELn、GRST)，热氧化电极然后露出电极之间的衬底，之后是以下列举的操作：a)沉积掺杂的多晶硅以形成该二极管的极(42)，其中该衬底形成另一极；b)定义所希望的硅图案(14)，其覆盖留在电极之间的间隔并且还覆盖位于所述间隔外部的区域；c)沉积绝缘层(18)，在电极之间的间隔外部的多晶硅上方在所述绝缘层中局部蚀刻开口，以形成移位接触区，沉积金属涂层并蚀刻该金属涂层。本发明的主要应用是用于CCD型读出寄存器的读出二极管。

主权项

1.一种用于制造在衬底(30)上方沉积的两个硅电极(ELn，GRST)之间的小尺寸二极管(DL)的方法，其包括以下步骤：a)在该衬底上方制造由间隙分隔开的该两个电极，b)在高度和宽度方面，热氧化所述电极的厚度的一部分，留下间隔保持在所述氧化的电极之间，保护该衬底在该间隔中不被氧化，c)在该间隔中暴露出该衬底的表面，d)沉积与该间隔中的该衬底接触的一层掺杂多晶硅(40)，以形成该二极管的一个极(42)，该衬底形成另一极，e)部分移除该多晶硅，同时留下所希望的图案，该图案至少覆盖留在所述电极之间的该间隔，并且还覆盖位于该间隔之外的区域，f)沉积绝缘层(18)，将开口(50)局部蚀刻到位于所述电极之间的间隔之外的多晶硅上方的该绝缘层中，以形成偏移接触区，沉积与该偏移接触区中的多晶硅接触的金属层(22)，并且根据所希望的互连图案蚀刻该金属层。