[发明专利]槽形成法和流体喷射机构无效
申请号: | 200580006877.0 | 申请日: | 2005-02-16 |
公开(公告)号: | CN1926056A | 公开(公告)日: | 2007-03-07 |
发明(设计)人: | J·R·波拉;M·D·米勒 | 申请(专利权)人: | 惠普开发有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;B41J2/16 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 黄力行 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 所介绍的实施例涉及带槽的基片(300)和形成槽的方法。一示例性方法在基片(300)的第一表面(302)形成第一槽部分(410a),第一槽部分(410a)在第一表面(302)形成覆盖区(404)。该方法还通过第一槽部分(410a)形成第二槽部分(410a1),和通过基片(300)的第二表面(303)形成第三槽部分(410a2),与第二槽部分(410a1)充分相交,形成通过基片(300)的流体运送槽(305)。 | ||
搜索关键词: | 形成 流体 喷射 机构 | ||
【主权项】:
1.一种方法,包括步骤:在基片(300)形成第一槽部分(410a),第一槽部分(410a)在第一表面(302)形成并延伸到第一深度,深度小于基片(300)的厚度,该厚度由所述第一表面(302)和通常是相对的第二表面(303)形成,所述第一槽部分(410a)在第一表面(302)形成覆盖区(404);在第一表面(302)去除另外的基片材料,形成第二深度的第二槽部分(410a1),同时保持第一表面(302)的覆盖区(404);和在第二表面(303)去除基片材料,至少到达第二槽部分(410a1),以形成在第一表面(302)和第二表面(303)之间延伸的槽(305)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠普开发有限公司,未经惠普开发有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200580006877.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有耦合感应器倍流器的直流-直流转换器
- 下一篇:大功率元器件的外壳