[发明专利]增强模式Ⅲ族氮化物场效应晶体管有效
| 申请号： | 200580006925.6 | 申请日： | 2005-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101273458A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·比克 | 申请（专利权）人： | 国际整流器公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/49;H01L29/74;H01L29/735;H01L31/0328;H01L31/0336;H01L31/072;H01L31/109;H01L31/111 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 颜涛;郑霞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | Ⅲ族氮化物开关包括一个带凹槽的栅极接触，来产生一个名义上截止的、或者是一个增强模式的器件。通过提供一个带凹槽的栅极接触，当栅电极不活跃而阻止器件中的电流时，形成在两个Ⅲ族氮化物材料界面上的导通沟道被阻断。该栅电极可以是一个肖特基接触或者是一个绝缘的金属接触。两个栅电极可以被提供来形成一个具有名义上截止特性的双向开关。形成在栅电极上的凹槽具有倾斜的侧面。该栅电极以很多几何形状来形成，与器件的载流电极相连接。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 模式 氮化物 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1. 一种增强模式III族氮化物器件，包括：形成在第一III族氮化物材料和第二III族氮化物材料之间界面的导通沟道，这二种III族氮化物材料具有不同的平面内晶格常数或不同的带隙；耦合至沟道的载流电极，以承载沟道电流；耦合至沟道并且可操作的栅电极，以影响传导通道从而允许或者禁止传导沟道中的电流传导；和形成于III族氮化物层中的一个上的变更，这样当栅电极不活跃的时候，界面上的传导沟道被阻断。
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