[发明专利]合成石英玻璃制成的光掩模基片和光掩模无效
| 申请号： | 200580006953.8 | 申请日： | 2005-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN1930521A | 公开（公告）日： | 2007-03-14 |
| 发明（设计）人： | 菊川信也;日野启吾;三代均 | 申请（专利权）人： | 旭硝子株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G03F7/20;C03C3/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沙永生 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种具有低的双折射、可以使用偏振辐照或进行浸没曝光的光掩模基片。一种由合成石英玻璃制成的光掩模基片，该基片用来使用具有最多约200纳米的曝光波长的光源制造半导体，该基片在曝光波长下的双折射最多为1纳米/6.35毫米，使用照度为13.2毫瓦/厘米2的Xe准分子灯辐照之前和辐照20分钟之后，该基片的透光度减少量，即波长217纳米处的透光度之差最多为1.0％。 | ||
| 搜索关键词： | 合成 石英玻璃 制成 光掩模基片 光掩模 | ||
【主权项】：
1.一种由合成石英玻璃制成的光掩模基片，该基片用于使用曝光波长最大约200纳米的光源制造半导体，所述基片在曝光波长下的双折射最大为1纳米/6.35毫米，使用照度为13.2毫瓦/厘米2的Xe准分子灯辐照之前和辐照20分钟之后，该基片的透光度减少量，按在波长217纳米处的透光度之差计最多为1.0％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旭硝子株式会社，未经旭硝子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580006953.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
