[发明专利]研磨剂以及研磨方法无效
| 申请号： | 200580006988.1 | 申请日： | 2005-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN1930664A | 公开（公告）日： | 2007-03-14 |
| 发明（设计）人： | 竹宫聪;真丸幸惠 | 申请（专利权）人： | 旭硝子株式会社;清美化学股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沙永生 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供在半导体集成电路装置的制造中研磨被研磨面中，具有高研磨速度、可抑制凹陷或磨蚀的产生的研磨剂。它是使在用于研磨半导体集成电路装置的被研磨面的化学、机械研磨用研磨剂中含有(A)氧化物微粒、(B)普鲁兰多糖以及(C)水。还可以含有(D)氧化剂以及(E)式(1)所示的化合物，其中，R为氢原子、碳原子数为1～4的烷基、碳原子数为1～4的烷氧基或者羧基。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨剂 以及 研磨 方法 | ||
【主权项】：
1.研磨剂，它是在半导体集成电路装置的制造中用于研磨被研磨面的化学机械研磨用研磨剂，其特征在于，含有(A)氧化物微粒、(B)普鲁兰多糖以及(C)水。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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