[发明专利]用于无定型碳膜的化学气相沉积的液体前驱体无效
| 申请号： | 200580006997.0 | 申请日： | 2005-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN1930320A | 公开（公告）日： | 2007-03-14 |
| 发明（设计）人： | 马丁·杰伊·瑟默恩斯;温迪·H·叶;苏达哈·S·R·拉蒂;迪奈什·帕德海;安迪(信朝)·路安;萨姆－叶·贝蒂·唐;普里亚·库尔卡尼;维斯瓦思瓦伦·西瓦诺马克斯南;金博宏;海澈姆·穆萨德;玉香·梅·王;迈克尔·丘·宽 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26;C23C16/505 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵飞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了用于沉积无定型碳材料的方法。在一个方面中，本发明提供一种处理衬底的方法，该方法包括：在处理室中放置所述衬底；将处理气体引入所述处理室，其中，所述处理气体包括载气、氢气和一种或多种烃化合物或其衍生物；通过从双频RF源施加功率产生所述处理气体的等离子体；以及在所述衬底上沉积无定型碳层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 定型 化学 沉积 液体 前驱 | ||
【主权项】：
1.一种在处理室中处理衬底的方法，包括：在处理室中放置所述衬底；将处理气体引入所述处理室，其中，所述处理气体包括氢气和一种或多种具有通式CAHBOCFD的前驱体化合物，其中A的范围为1～24，B的范围为0～50，C的范围为0～10，D的范围为0～50，并且B和D的和至少为2；通过从双频RF源施加功率产生所述处理气体的等离子体；以及在所述衬底上沉积无定型碳层。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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