[发明专利]分子电子器件制造方法及结构有效
申请号: | 200580007168.4 | 申请日: | 2005-02-07 |
公开(公告)号: | CN1930699A | 公开(公告)日: | 2007-03-14 |
发明(设计)人: | 朱利安·卡特;哈德恩·格利高利;马丁·卡齐奥 | 申请(专利权)人: | 剑桥显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/40 | 分类号: | H01L51/40 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | 本发明总体上涉及通过微滴沉积技术例如喷墨印刷制造分子电子器件,特别是有机电子器件如有机发光二极管(OLED)的改进方法。本发明还涉及一种通过本方法制造的或者在本方法中使用的分子器件基片。一种制造分子电子器件的方法,该方法包括:制造具有多个堆堤的基片,这些堆堤限定多个用于沉积分子材料的井;和用微滴沉积技术将溶解在溶剂中的分子电子材料沉积在所述井内,从而制造所述器件;其中所述堆堤具有表面,其限定所述井的边缘,与井的底部的角度大于所述溶剂与所述堆堤表面的接触角;并且其中所述堆堤超出所述井的所述底部的高度小于2μm,更优选地小于1.5μm。 | ||
搜索关键词: | 分子 电子器件 制造 方法 结构 | ||
【主权项】:
1.一种制造分子电子器件的方法,该方法包括:制造具有多个堆堤的基片,所述堆堤限定多个用于分子材料沉积的井;和用微滴沉积技术将含有溶解在溶剂中的分子电子材料的成分沉积在所述井内,以制造所述器件;其中所述堆堤具有表面,其限定所述井的边缘,与井的底部的角度大于所述成分与所述堆堤表面的接触角;以及其中所述堆堤超出所述井的所述底部的高度小于2μm,更优选地小于1.5μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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