[发明专利]前金属介电层的有限热预算形成

摘要

本发明提供一种填充由基板上邻近凸起特征所限定的间隙的方法，其包括提供含硅工艺气体流进入装有该基板的处理室，提供氧化工艺气体流进入该处理室，以及提供含磷工艺气体流进入该处理室。该方法还包括通过使该含硅工艺气体、该含磷工艺气体以及该氧化工艺气体之间发生反应沉积掺杂磷的硅氧化薄膜的第一部分作为该间隙中的大致均匀层。沉积该均匀层包括随着时间改变该(含硅工艺气体加含磷工艺气体)∶(氧化工艺气体)的比例，并在沉积均匀层期间，使该基板的温度维持在500℃以下。该方法还包括沉积该掺杂磷的硅氧化薄膜的第二部分作为块层。沉积该薄膜的第二部分包括在沉积该块层期间使该(含硅工艺气体)∶(氧化工艺气体)的比例基本上维持不变，并使改基板的温度维持在约500℃以下。

主权项

1.一种填充由基板上邻近凸起特征所限定的间隙的方法，其包含：提供含硅的工艺气体流进入装有所述基板的处理室；提供氧化工艺气体流进入所述处理室；提供含磷的工艺气体流进入所述处理室；通过使所述含硅的工艺气体、所述含磷的工艺气体及所述氧化工艺气体之间发生反应而沉积掺杂磷的硅氧化物薄膜的第一部分，以在间隙中形成大致均匀层，其中沉积所述均匀层包括随着时间改变所述(含硅工艺气体加含磷工艺气体)；(氧化工艺气体)的比例，并在沉积所述均匀层期间将所述基板的温度维持在约500℃以下；以及之后，沉积掺杂磷的硅氧化物层的第二部分作为块层，其中沉积所述薄膜第二部分包括在沉积所述块层期间使所述(含硅工艺气体加含磷的工艺气体)∶(氧化工艺气体)的比例基本上维持不变，并使所述基板的温度维持在约500℃以下。