[发明专利]磁传感器结构无效
| 申请号： | 200580007889.5 | 申请日： | 2005-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN1930450A | 公开（公告）日： | 2007-03-14 |
| 发明（设计）人： | I·赫尔曼;P·法伯;U·迈;C·鲍尔;B·福格尔格桑 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | G01D5/14 | 分类号： | G01D5/14;G01P3/42 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 苏娟;胡强 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明建议一个磁传感器结构(1)，其中磁场敏感的传感器元件(5，6)的电特性可以根据一个磁场变化，通过一个运动的被动的发送元件(8)影响该传感器元件。所述磁传感器结构(1)在一个梯度仪结构中具有两个传感器元件(5，6)，它们分别附属于两个以给定间距(a)设置的永久磁铁(2，3)中的一个磁铁。所述永久磁铁(2，3)在其尺寸、其距离和其相对于传感器元件(5，6)的定位方面这样设置，使得传感器元件(5，6)的输出信号的偏移在梯度仪结构中最小。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 结构 | ||
【主权项】：
1.磁传感器结构，其具有-磁场敏感的传感器元件(5，6)，其电特性可以根据磁场变化，该磁场可以通过运动的被动的发送元件(8)施加影响，其特征在于，-所述磁传感器结构(1)在梯度仪结构中具有两个传感器元件(5，6)，它们分别附属于两个以给定间距(a)设置的永久磁铁(2，3)中的一个磁铁，-其中所述永久磁铁(2，3)在其尺寸、其间距和其相对于传感器元件(5，6)的定位方面设置，使得传感器元件(5，6)的输出信号的偏移在梯度仪结构中最小。
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