[发明专利]半导体器件有效

专利信息
申请号: 200580007958.2 申请日: 2005-03-09
公开(公告)号: CN1930678A 公开(公告)日: 2007-03-14
发明(设计)人: 山崎舜平;荒尾达也 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L21/8234 分类号: H01L21/8234;H01L27/04;H01L27/06;H01L29/786;G06K19/07;G06K19/077;H01Q1/38;H01Q7/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 秦晨
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体器件,例如本发明的ID芯片,包括使用半导体元件的集成电路,和与集成电路相连的天线,其中半导体元件是通过使用半导体膜构造的。优选机将天线与集成电路构造在一起,因为这样可以增强ID芯片的机械强度。注意,本发明中使用的天线还包括环绕或螺旋缠绕的导线和布置在导线之间的软磁材料微粒。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
1.半导体器件,包含:衬底,包含薄膜晶体管的集成电路,具有导线的天线,和在导线上的绝缘膜,其中,集成电路和天线构造在衬底上以便相互电连接,以及软磁材料微粒包含在绝缘膜中。
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