[发明专利]溅射涂覆基片的制造方法、磁控管源和具有这种源的溅射室有效

专利信息
申请号: 200580007976.0 申请日: 2005-01-06
公开(公告)号: CN1930652A 公开(公告)日: 2007-03-14
发明(设计)人: S·卡德勒克;E·库格勒;W·哈格 申请(专利权)人: OC欧瑞康巴尔斯公司
主分类号: H01J37/34 分类号: H01J37/34
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 刘春元;张志醒
地址: 列支敦士*** 国省代码: 列支敦士登;LI
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摘要: 在不对称不平衡长程磁控管磁场图案上产生和使用一种磁控管源、一种磁控管处理室和一种制造具有真空等离子体处理过的表面的基片的方法,该不对称不平衡长程磁控管磁场图案沿着基片表面被扫动,用于提高真空等离子体处理过的基片表面处的离子密度。长程磁场达到基片表面,平行于基片表面的磁场分量为至少0.1高斯、并且优选地在1和20高斯之间。等离子体处理可以例如是溅射涂覆、或蚀刻。
搜索关键词: 溅射 涂覆基片 制造 方法 磁控管源 具有 这种
【主权项】:
1、制造具有真空等离子体处理过的表面的基片的方法,该方法包括以下步骤:●提供具有靶面的靶;●提供至少一个具有基片表面的基片,所述基片远离所述靶面并与所述靶面相对;●在所述靶面和所述基片表面之间的体积中产生磁场图案,该磁场图案是a)磁控管磁场图案,该磁控管磁场图案在朝着所述溅射表面的方向上看形成封闭环,并且平行于所述溅射表面看形成从第一磁极的外部区域到第二磁极的内部区域的隧道状弧形,因而,通过垂直于所述靶面的磁场的零分量的封闭轨迹,相对于所述外部区域来限定所述内部区域;b)不平衡长程磁场图案,通过相对于沿着所述内部区域的磁通量增加沿着所述外部区域的磁通量来非对称地产生该不平衡长程磁场图案,因此,到达基片表面的所述长程磁场具有至少为0.1高斯的、平行于所述基片表面的磁场分量,●在所述磁场图案中产生等离子体放电;●等离子体处理所述基片表面,因此●沿着所述基片表面扫过所述不对称不平衡磁场图案。
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