[发明专利]在半导体处理中校正晶圆晶体切割误差的方法

摘要

本发明涉及解决在离子植入系统中的晶体切割误差数据，由此易于更准确的离子植入。本发明的一个或多个方面也考虑可能的遮蔽效应，其可由形成于被掺杂的晶圆表面上的特征而造成。根据本发明的一个或多个方面，晶体切割误差数据和可选的特征数据也被周期性前馈到一个或多个离子植入级或系统，以确定如何相对于工件而重新定向该离子束以达到期望的植入结果。

主权项

1.一种在离子植入系统中解决晶体切割误差的方法，包括：获得关于相对于离子束的晶圆机械表面的方位的数据，该离子束对准该晶圆的表面，以在该晶圆的选定位置内植入离子；获得关于形成于该晶圆的表面上的特征的数据，包括存在于该特征之间的相应间距；给定该方位数据和特征数据，来确定在离子植入期间可能造成的遮蔽效应的相应程度；如果有的话，确定应该对该离子束与晶圆表面之间的相对方位作什么调整，以足够减轻潜在的遮蔽效应；获得切割误差数据，其关于相对于该晶圆实际晶格结构的该晶圆机械表面的方位；给定该方位数据与切割数据，来确定由离子植入所可能导致的通道效应的严重度；如果有的话，确定应当对该离子束与晶圆表面之间的相对方位作什么调整，以达到期望的通道效应；确定对减轻遮蔽效应所提出的调整与所提出的通道效应调整是否为一致；若该提出的调整不一致，确定在该离子束与晶圆表面之间的可接受的相对重新定向；和根据需要调整该离子束与晶圆表面之间的相对方位。