[发明专利]改善低k电介质粘附性的等离子体处理方法无效
| 申请号： | 200580008066.4 | 申请日： | 2005-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN1930669A | 公开（公告）日： | 2007-03-14 |
| 发明（设计）人： | 利华·李·黄;祖方·黄;迪安·苏格阿托;立群·夏;皮特·韦曼·李;海澈姆·穆萨德;振江·崔;索云·帕克 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/768;C23C16/40;C23C16/32 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵飞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了在两个低k电介质层之间沉积具有低介电常数的粘附层而对衬底进行处理的方法。在一个方面，本发明提供了处理衬底的方法，该方法包括：以有机硅化合物与氧化气体的第一比率将有机硅化合物和氧化气体引入处理室；生成氧化气体与有机硅化合物的等离子，以在包含至少硅和碳的阻挡层上形成初始层；以大于有机硅化合物与氧化气体的第一比率的第二比率将有机硅化合物和氧化气体引入处理室；沉积相邻于电介质初始层的第一电介质层。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 电介质 粘附 等离子体 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种处理衬底的方法，包括：将所述衬底置于处理室中，其中所述衬底具有包含至少硅和碳的阻挡层；以有机硅化合物与氧化气体的第一比率将有所述机硅化合物和所述氧化气体引入所述处理室；生成所述氧化气体与所述有机硅化合物的等离子，以在所述阻挡层上形成初始层；以大于所述第一比率的有机硅化合物与氧化气体的第二比率将所述有机硅化合物和所述氧化气体引入所述处理室；以及沉积相邻于所述电介质初始层的第一电介质层，其中所述电介质层包含硅、氧和碳并且具有约3或更小的介电常数。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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