[发明专利]化合物半导体发光二极管无效
申请号: | 200580008071.5 | 申请日: | 2005-03-14 |
公开(公告)号: | CN1934717A | 公开(公告)日: | 2007-03-21 |
发明(设计)人: | 竹内良一;宇田川隆 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 杨晓光;李峥 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种化合物半导体发光二极管,包括由III-V族化合物半导体构成的发光层以及设置在所述发光层上并由III-V族化合物半导体构成的电流扩散层,其特征在于,所述电流扩散层由导电的基于磷化硼的半导体构成,并且所述电流扩散层的室温带隙宽于所述发光层的室温带隙。 | ||
搜索关键词: | 化合物 半导体 发光二极管 | ||
【主权项】:
1.一种化合物半导体发光二极管,包括由III-V族化合物半导体构成的发光层以及设置在所述发光层上并由III-V族化合物半导体构成的电流扩散层,其特征在于,所述电流扩散层由导电的基于磷化硼的半导体构成,并且所述电流扩散层的室温带隙宽于所述发光层的室温带隙。
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