[发明专利]具有导电特性的部分蚀刻的电介质膜无效
| 申请号： | 200580008101.2 | 申请日： | 2005-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN1930928A | 公开（公告）日： | 2007-03-14 |
| 发明（设计）人： | 丹尼斯·M·布鲁纳;大卫·L·比斯特尔;麦克尔·S·格拉夫;丹尼尔·K·吕贝特;内森·P·库特尔;杨瑞;毛国平 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/40 | 分类号： | H05K3/40;H01L23/48;H01L23/485 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 郇春艳;郭国清 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供具有提高导电特性的部分蚀刻的电介质膜。本发明还提供了在电介质膜中形成提高导电特性的方法，该方法包括部分蚀刻所述的电介质膜。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 导电 特性 部分 蚀刻 电介质 | ||
【主权项】：
1.一种形成附着于电介质膜的导电隆起块的方法，所述方法包括：提供具有第一面、第二面和至少一个被金属塞子填充的通道的电介质膜，该金属塞子具有暴露在所述电介质膜所述第一面的平表面；从所述金属塞子的所述平表面周围控制地蚀刻所述电介质膜，以提供具有从其突出的金属突出物的电介质膜。
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