[发明专利]Ⅲ族元素氮化物结晶制造装置以及Ⅲ族元素氮化物结晶制造方法有效
| 申请号： | 200580008118.8 | 申请日： | 2005-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN1930327A | 公开（公告）日： | 2007-03-14 |
| 发明（设计）人： | 森勇介;峯本尚;北冈康夫;木户口勋;川村史朗;佐佐木孝友;梅田英和;高桥康仁 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社;森勇介 |
| 主分类号： | C30B9/00 | 分类号： | C30B9/00;C30B29/38 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可以制造高品质结晶的III族元素氮化物结晶的制造装置以及III族元素氮化物结晶的制造方法。使用本发明的装置进行的结晶生长例如可以按如下的方法进行。向反应容器(120)内导入结晶原料(131)以及含氮气体，用加热器(110)进行加热，并在加压气氛下使结晶生长。上述气体从气体供给装置(180)经由上述反应容器的气体导入口而导入上述反应容器(120)内，随后从上述反应容器的气体排出口排到耐压容器(102)的内部。由于上述气体不经由耐压容器(102)便直接导入反应容器(120)，因而可以防止附着在耐压容器(102)等处的杂质混入到结晶生长的场所。另外，因为上述气体在反应容器(120)内流动，所以不会发生诸如蒸发的碱金属等在气体导入口等处的凝集、以及向气体供给装置(180)等处的流入等问题。其结果，可以提高所得到的III族元素氮化物结晶的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 元素 氮化物 结晶 制造 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
1、一种结晶制造装置，其使用含有III族元素、氮、以及碱金属和碱土类金属中的至少一种的结晶原料液，在含氮气体的气氛下进行加压加热，使所述结晶原料液中的氮和III族元素反应，从而生长出III族元素氮化物结晶；该装置的特征在于：其具有可以配置所述结晶原料液的反应容器、以及用于向所述反应容器内导入含氮气体的气体供给装置；所述反应容器和所述气体供给装置相连接；所述反应容器具有气体导入口以及气体排出口；在所述反应容器中，从所述气体导入口导入的含氮气体中未被所述反应所使用的含氮气体，从所述气体排出口排出。
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