[发明专利]硅粒子、硅粒子超晶格以及它们的制备方法有效
| 申请号： | 200580008256.6 | 申请日： | 2005-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN1956920A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 佐藤井一;木村启作;川崎卓;冈田拓也 | 申请（专利权）人： | 电气化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02;C01B33/029 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 陈昕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通过本发明的制备方法，能够以工业规模提供作为高性能的发光元件或电子部件用的原料粉末的实用性高的高纯度的硅纳米粒子。所述制备方法具有以下工序：使甲硅烷气体和用于氧化该甲硅烷气体的氧化气体进行气相反应，合成含有硅粒子的硅氧化物粒子的工序、在惰性气氛下，在800～1400℃下保持该硅氧化物粒子后，利用氢氟酸除去上述硅氧化物的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 粒子 晶格 以及 它们 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种硅粒子，其特征在于：粒径为1～50nm，Na、Fe、Al、Cl的总量为10ppm以下。
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