[发明专利]具有碳化硅耐久接触的方法和器件有效
| 申请号： | 200580008778.6 | 申请日： | 2005-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN1961427A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 威廉·F·森;理查德·L·伍丁 | 申请（专利权）人： | 仙童半导体公司 |
| 主分类号： | H01L27/095 | 分类号： | H01L27/095;H01L31/0256 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 缪利明 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种含肖特基势垒的碳化硅器件，具有铼肖特基金属接触。铼接触(27)的厚度大于250埃，可在2000埃至4000埃之间。在肖特基接触的周围提供有由离子刻蚀而形成的环状终端场结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 碳化硅 耐久 接触 方法 器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其特征在于，包括：一具有单极性的半导体材料的底层；所述半导体材料的一个或多个表面上的一个或多个电极；一在所述底层上的相同半导体材料的轻掺杂层；一在所述轻掺杂层上的铼肖特基势垒层，用于控制从该器件的一个电极到另一个电极的电荷跃迁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
