[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200580008837.X | 申请日： | 2005-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN1934699A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 森田好次;中西淳二;峰胜利 | 申请（专利权）人： | 陶氏康宁东丽株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 潘士霖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种通过将未密封的半导体器件放置在模具中、在预定成型温度下压模填充于模具和未密封半导体器件之间的间隙的可固化液体硅树脂合成物来制造密封在固化硅树脂体中的半导体器件的方法，其中可固化的液体硅树脂合成物在室温下具有等于或小于90Pa.s的粘度，并且其中从在成型温度下使用硫度计测量扭矩的时刻到扭矩达到1kgf.cm的时刻的时间间隔不少于1分钟，并且扭矩从1kgf.cm增至5kgf.cm的时间间隔不超过1分钟。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种通过将未密封的半导体器件放置在模具中、在预定成型温度下压模填充于模具和未密封半导体器件之间的间隙的可固化液体硅树脂合成物来制造密封在固化硅树脂体中的半导体器件的方法，其中可固化的液体硅树脂合成物在室温下具有等于或小于90Pa.s的粘度，并且其中从在成型温度下使用硫度计测量扭矩的时刻到扭矩达到1kgf.cm的时刻的时间间隔不少于1分钟，并且扭矩从1kgf.cm增至5kgf.cm的时间间隔不超过1分钟。
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