[发明专利]R－Fe－B系薄膜磁铁及其制造方法有效
| 申请号： | 200580008928.3 | 申请日： | 2005-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN1954395A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | 铃木俊治;町田宪一;坂口英二;中村一也 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人科学技术振兴机构;株式会社新王磁材;并木精密宝石株式会社 |
| 主分类号： | H01F10/14 | 分类号： | H01F10/14;H01F1/053 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人： | 刘激扬 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种R－Fe－B系薄膜磁铁，在物理成膜的含有28－45质量％的R元素(其中，R是镧系稀土元素中的1种或2种以上)的R－Fe－B系合金中，具有晶粒直径0.5－30μm的R2Fe14B晶体和在该晶体边界处富集R元素的晶界相的复合组织。该薄膜磁铁的磁化性提高。在物理成膜过程中和/或随后的热处理中，通过加热至700－1200℃，进行晶粒生长和形成富集R元素的晶界相，由此，可以制造上述R－Fe－B系薄膜磁铁。 | ||
| 搜索关键词： | fe 薄膜 磁铁 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.R-Fe-B系薄膜磁铁，其特征在于，在物理成膜的含有28-45质量％的R元素(其中，R是镧系稀土元素中的1种或2种以上)的R-Fe-B系合金中，具有晶粒直径0.5-30μm的R2Fe14B晶体和在该晶体边界处富集R元素的晶界相的复合组织。
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