[发明专利]制造半导体器件的方法以及由所述方法获得的半导体器件

摘要

本发明涉及一种制造半导体器件的方法，该半导体器件包括衬底(1)和半导体主体(2)，在该半导体主体中，形成至少一个半导体元件，其中，在该半导体主体(2)中如下形成半导体岛(3)：通过在半导体主体(2)的表面中形成第一空腔(4)，所述第一空腔的壁由第一电介层(6)覆盖，其后借助于经由第一空腔(4)底部的钻蚀来除去半导体主体(2)的横向部分，由此在半导体主体(2)中形成空腔(20)，在该空腔上形成半导体岛(3)，并且其中，在半导体主体(2)的表面中形成第二空腔(5)，所述第二空腔的壁由第二电介质层覆盖，并且覆盖有第二电介质层的壁之一形成半导体岛(3)的侧壁。根据本发明，选择相同的电介质层(6)用于第一和第二电介质层，选择第二空腔(5)的横向尺寸和电介质层(6)的厚度使得第二空腔(5)基本上完全由电介质层(6)填充，并且选择第一空腔(4)的横向尺寸使得第一空腔(4)的壁和底部设有由电介质层(6)构成的均匀涂层。以这种方式，可以利用最少量的(掩模)步骤来形成与其环境隔离的半导体岛(3)。

主权项

1、一种制造半导体器件(10)的方法，该半导体器件包括衬底(1)和半导体主体(2)，在该半导体主体中，形成至少一个半导体元件，其中，在该半导体主体(2)中如下形成半导体岛(3)：通过在该半导体主体(1)的表面中形成第一凹槽(4)，该第一凹槽的壁由电介层(6)覆盖，其后借助于经由该第一凹槽底部的钻蚀来除去该半导体主体(2)的横向部分，由此在该半导体主体(2)中形成空腔(20)，在该空腔上形成所述半导体岛(3)，并且其中，在该半导体主体的表面中形成第二凹槽(5)，所述第二凹槽的壁由另一电介质层覆盖，并且将覆盖有所述另一电介质层的所述第二凹槽的壁之一用于形成所述半导体岛(3)的侧壁，其特征在于：对于所述电介质层和所述另一电介质层使用相同的电介质层(6)，选择所述第二凹槽(5)的横向尺寸和所述电介质层(6)的厚度使得所述第二凹槽(5)基本上完全由所述电介质层(6)来填充，并且选择所述第一凹槽(4)的横向尺寸使得所述第一凹槽(4)的壁和底部设置有由所述电介质层(6)构成的均匀涂层。