[发明专利]偏氟乙烯均聚物薄膜的形成方法无效
| 申请号： | 200580009081.0 | 申请日： | 2005-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN1933923A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 荒木孝之;小谷哲浩 | 申请（专利权）人： | 大金工业株式会社 |
| 主分类号： | B05D7/24 | 分类号： | B05D7/24;B32B27/30;C08F8/00;C08F14/22 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及偏氟乙烯均聚物薄膜的形成方法，该方法利用比较简单的方法(涂布条件、方法等)来提供可以适用于各种基材的I型结晶结构的末端为功能性官能团的偏氟乙烯均聚物的薄膜。本发明的方法是含有偏氟乙烯均聚物的薄膜的形成方法，在该形成方法中，将在一个末端或两个末端具有式(1)：－(R1)n－Y(1)(式中，R1为2价有机基团，但是不含偏氟乙烯均聚物的结构单元，n为0或1，Y为功能性官能团)所示的部位且偏氟乙烯均聚物单元的数均聚合度为3～100的偏氟乙烯均聚物应用于基材，形成含有完全为I型结晶结构的偏氟乙烯均聚物或含有以I型结晶结构为主要成分的偏氟乙烯均聚物的薄膜的偏氟乙烯均聚物的薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 乙烯 均聚物 薄膜 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.偏氟乙烯均聚物的薄膜的形成方法，其是形成由完全为I型结晶结构的或以I型结晶结构为主要成分的偏氟乙烯均聚物制成的薄膜的方法，其特征在于，所述偏氟乙烯均聚物在一个末端或两个末端具有下述式(1)所示的部位且偏氟乙烯均聚物单元的数均聚合度为3～100，将该偏氟乙烯均聚物应用于基材，形成由完全为I型结晶结构的或以I型结晶结构为主要成分的偏氟乙烯均聚物制成的薄膜；-(R1)n-Y (1)式(1)中，R1为2价有机基团，但是不含偏氟乙烯均聚物的结构单元，n为0或1，Y为功能性官能团。
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