[发明专利]等离子体CVD装置

摘要

本发明以提供能够抑制施加在被处理基板上的电压增加，防止基板损伤，改善成品率的等离子体CVD装置作为课题。本发明使用，在可减压的腔室内通过等离子体放电分解原料气体，在被处理基板上形成导电膜，当成膜处理的累积次数达到规定值时对所述腔室内进行干洗并回到初始状态的等离子体CVD装置中，具有在所述腔室内载置被处理基板的绝缘体载物台、埋设在所述载物台中的接地电极、在所述腔室内与所述接地电极相对设置的高频电极、向所述高频电极供给生成等离子体用的高频的高频电源、为了抑制由从所述初始状态随着所述成膜处理的累积次数增大，所述接地电极与所述基板之间的载物台·电阻降低引起的施加在所述基板上的电压增加，插入在所述接地电极与地电位之间的固定电容的等离子体CVD装置，解决所述课题。

主权项

1.一种等离子体CVD装置，在可减压的腔室内通过等离子体放电分解原料气体，在被处理基板上形成导电膜，当成膜处理的累积次数达到规定值时对所述腔室内进行干洗，回到初始状态，其特征在于，具有：在所述腔室内载置被处理基板的绝缘体载物台；埋设在所述载物台中的接地电极；在所述腔室内与所述接地电极相对设置的高频电极；向所述高频电极供给用于生成等离子体的高频的高频电源；和固定电容，为了抑制由从所述初始状态随着所述成膜处理的累积次数增大，所述接地电极与所述基板之间的载物台·电阻降低引起的施加在所述基板上的电压增加，插入在所述接地电极与地电位之间。