[发明专利]薄硅中的光交叉区有效
| 申请号： | 200580009284.X | 申请日： | 2005-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN101248379A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 大卫·佩德;普拉卡什·约托斯卡;马格利特·吉龙;罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里;威普库马·帕特尔;索哈姆·帕塔克;卡尔潘都·夏斯特里;凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇 | 申请（专利权）人： | 斯欧普迪克尔股份有限公司;大卫·佩德;普拉卡什·约托斯卡;马格利特·吉龙;罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里;威普库马·帕特尔;索哈姆·帕塔克;卡尔潘都·夏斯特里;凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/10 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 霍育栋;郑霞 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种装置使用在SOI结构中的图案化几何结构，所述装置用于提供光交叉区，所述光交叉区在基于SOI结构中形成的波导管之间，选择其以降低信号重叠区域中的串扰效果。优选地，光信号固定以沿正交方向传播(或具有不同的波长)以最小化串扰效果。所述SOI结构的几何结构被图案化，包括预定的锥和/或反射表面，以导引/调整传播的光信号。可形成在所述光交叉区域内的图案化波导区域，其包括叠加的多晶硅段，以进一步指引所述传播的束，以及改善所述交叉装置的耦合效率。 | ||
| 搜索关键词： | 中的 交叉 | ||
【主权项】：
1. 一种基于绝缘体硅片(SOI)的光器件，其包括布置在绝缘层上的表面硅波导层，所述绝缘层覆盖硅基底，所述基于SOI的光器件包括：第一光波导管，其用于支持第一光信号的传播；第二光波导管，其用于支持第二光信号的传播；以及光交叉区域，其由所述第一光波导管和所述第二光波导管的相交处界定，所述光交叉区域展现出一几何结构，所述几何结构被界定为降低所述交叉区域中所述第一和第二光信号间的串扰以及改善所述光交叉区域内的光通度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于斯欧普迪克尔股份有限公司;大卫·佩德;普拉卡什·约托斯卡;马格利特·吉龙;罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里;威普库马·帕特尔;索哈姆·帕塔克;卡尔潘都·夏斯特里;凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇，未经斯欧普迪克尔股份有限公司;大卫·佩德;普拉卡什·约托斯卡;马格利特·吉龙;罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里;威普库马·帕特尔;索哈姆·帕塔克;卡尔潘都·夏斯特里;凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580009284.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
