[发明专利]制造集成电路的方法有效

专利信息
申请号: 200580009341.4 申请日: 2005-03-15
公开(公告)号: CN1934707A 公开(公告)日: 2007-03-21
发明(设计)人: 鹤目卓也;丸山纯矢;道前芳隆 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/02;H01L21/336;H01L29/786
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张雪梅;梁永
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 还没有提出一种用于分开通过具有新颖性结构的薄膜形成的集成电路的方法或者将集成电路移置到另一底层的方法,也就是移置方法。根据本发明,在隔离通过释放层形成在衬底上具有新颖性结构的薄膜的集成电路的情况下,在固定薄膜集成电路的状态中去除释放层,将薄膜集成电路移置到具有粘接表面的支撑衬底,并移置薄膜集成电路。
搜索关键词: 制造 集成电路 方法
【主权项】:
1、一种用于制造薄膜集成电路的方法,包括:在绝缘衬底上选择性地形成释放层,在释放层上形成多个薄膜集成电路;通过在该多个薄膜集成电路中彼此相邻的薄膜集成电路之间的边界处形成开口部分露出释放层;将包括卤素氟化物的气体或者液体引入到开口部分以去除释放层,其中将薄膜集成电路固定到绝缘衬底;将该多个薄膜集成电路移置到具有粘接表面的第一底层;分开绝缘衬底和该多个薄膜集成电路;以及将薄膜集成电路移置到第二底层,该第二底层具有粘接强度比第一底层的粘接表面的粘接强度高的粘接表面。
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