[发明专利]在电接触的被掩埋材料上具有有源区的横向介电隔离的集成电路以及制造方法

摘要

说明了一种集成电路，具有由有源半导体材料构成的第一层(12)，该第一层沿着埋层(16)的一个第一面(14)延伸；并且具有沟槽结构(18，38)，这些沟槽结构将由有源半导体材料构成的所述层(12)切穿并且具有介电壁区域(42，44)，其中该介电壁区域(42，44)在横向上将由有源半导体材料构成的所述层(12)的部分区域(52，54，56)彼此电隔离，并且其中这些沟槽结构(18，38)还具有第一内部区域(46)，这些第一内部区域以导电材料而填满并且导电地接触所述埋层(16)。该集成电路的特点在于，这些沟槽结构(18，38)的第一壁区域(42)将所述埋层(16)完全切穿，并且所述沟槽结构(18，38)的第二壁区域(44)伸入到所述埋层(16)中，而没有将其完全切断。此外还说明了一种用于制造这种集成电路的方法。

主权项

1.集成电路，具有一个由有源半导体材料构成的第一层(12)，该第一层沿着一个埋层(16)的一个第一面(14)延伸；并且具有一些沟槽结构(18，38)，这些沟槽结构将由有源半导体材料构成的所述层(12)切穿并且具有介电壁区域(42，44)，其中这些介电壁区域(42，44)在横向上将由有源半导体材料构成的所述层(12)的多个部分区域(52，54，56)彼此电隔离，并且其中这些沟槽结构(18，38)还具有第一内部区域(46)，这些第一内部区域被导电材料填满并且导电地接触所述埋层(16)，其特征在于，这些沟槽结构(18，38)的第一壁区域(42)将所述埋层(16)完全切穿，并且这些沟槽结构(18，38)的第二壁区域(44)伸入到所述埋层(16)中，而没有将其完全切断。