[发明专利]硅膜形成装置无效
| 申请号： | 200580009409.9 | 申请日： | 2005-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN1934285A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 东名敦志;高桥英治;藤原将喜;小寺隆志;小野田正敏 | 申请（专利权）人： | 日新电机株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/34;H01L21/203 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明揭示一种硅膜形成装置，包含：成膜室(10)；设置在该室内的硅溅射靶(2)；往该室内供给氢气的氢气供给回路(102或102’)；以及对供给到成膜室(10)内的氢气施加高频功率以产生电感耦合等离子体的高频功率施加装置(天线(1、1’)、电源(PW)等)，利用该等离子体对靶(2)进行化学溅射，使衬底(S)上形成硅膜。也可同时使用硅烷气。也可在硅烷气供给回路(101)设置储气部(GR)。能在较低温度下价廉且高速地形成希望的硅膜。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 装置 | ||
【主权项】：
1、一种硅膜形成装置，其特征在于，包含安装被成膜物的成膜室；设置在该成膜室内的硅溅射靶；具有往该成膜室内供给氢气的氢气供给回路的供气装置；以及对从该氢气供给回路往该成膜室内供给的氢气施加高频功率，以产生电感耦合等离子体的高频功率施加装置，利用该等离子体对所述硅溅射靶进行化学溅射，使设置在该成膜室内的被成膜物上形成硅膜。
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