[发明专利]激光辐照方法和激光辐照装置有效
| 申请号： | 200580009439.X | 申请日： | 2005-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1934682A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 田中幸一郎;山本良明 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/20;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈斌 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的是提供一种激光辐照方法和激光辐照装置，该方法和装置通过阻挡线形光束的低强度部分，用强度更均匀的线形光束来照射某一受辐照表面，同时不会在该受辐照表面上形成因衍射而导致的条纹。在该激光辐照过程中，从激光振荡器101中发出的激光束穿过狭缝102以便阻挡该激光束的低强度部分，镜子103使该激光束的前进方向发生改变，并且凸柱面透镜104将在该狭缝处形成的像投影到受辐照表面106上。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 辐照 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种激光辐照方法，包括：通过使激光振荡器所发出的激光束穿过狭缝，来阻挡所述激光束的低强度部分；以及用凸柱面透镜将在所述狭缝处形成的像投影到受辐照表面上；其中所述激光束在所述受辐照表面上被定形为线形光束。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580009439.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：等离子体显示设备及其驱动方法
- 下一篇：半导体装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
