[发明专利]用于从离子注入的图案化光致抗蚀剂晶片去除底部抗反射涂层的组合物无效
| 申请号： | 200580009518.0 | 申请日： | 2005-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN1934221A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·B·克赞斯基;托马斯·H·鲍姆 | 申请（专利权）人： | 高级技术材料公司 |
| 主分类号： | C09K13/00 | 分类号： | C09K13/00;H01L21/00;C09K13/04;B08B6/00;C09K13/08;C11D7/32;B44C1/22 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王海川;樊卫民 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了从具有底部抗反射涂层(BARC)的半导体基片去除此类BARC层的方法和组合物。该去除组合物包括超临界流体、共溶剂、蚀刻剂和表面活性剂。此类去除组合物克服了SCCO2作为去除试剂的固有缺陷，即SCCO2的非极性特性和与之相关的对必须从半导体基片除去的物质不具有溶解能力，所述物质例如无机盐和极性有机化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 离子 注入 图案 化光致抗蚀剂 晶片 去除 底部 反射 涂层 组合 | ||
【主权项】：
1.底部抗反射涂层(BARC)去除组合物，其包括至少一种SCF、至少一种共溶剂、至少一种蚀刻剂和至少一种表面活性剂。
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