[发明专利]硅粒形成方法和硅粒形成装置无效
| 申请号： | 200580009526.5 | 申请日： | 2005-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN1934679A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 高桥英治;三上隆司;岸田茂明;加藤健治;东名敦志;林司;绪方洁 | 申请（专利权）人： | 日新电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L21/205;C23C14/14 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种硅粒形成方法，在导入氢气(或者还导入硅烷类气体)的真空室(1)内产生波长288纳米的硅原子发光强度与波长484纳米的氢原子发光强度的比小于等于10.0的等离子体，利用基于该等离子体的化学溅射，在基体上形成粒径小于等于20纳米的硅粒。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、一种硅粒形成方法，其特征在于，包含以下工序：通过在真空室内导入硅烷类气体和氢气并对这些气体施加高频功率使该真空室内产生等离子体后，利用该等离子体在该真空室的内壁形成硅膜的硅膜形成工序；以及通过在内壁形成硅膜的所述真空室内配置硅粒形成对象基体并往该真空室内导入溅射用气体并且对该气体施加高频功率使该真空室内产生等离子体后，用该等离子体进行以所述硅膜为溅射靶的化学溅射，从而在该基体上形成硅粒的硅粒形成工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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