[发明专利]用于去除表面沉积物的远距腔室法无效
| 申请号： | 200580009552.8 | 申请日： | 2005-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN101044262A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | H·H·萨温;B·白 | 申请（专利权）人： | 麻省理工学院 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 林森 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种改进的远距等离子清洗方法，该方法用于去除制造电子器件的沉积室的内部等表面的表面沉积物。所述改进涉及使用高中性温度至少约3,000K的活化气体。所述改进还涉及优化氧气和碳氟化合物的比率以获取更好的刻蚀速度和排放气体控制。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 去除 表面 沉积物 远距腔室法 | ||
【主权项】：
1.一种去除表面沉积物的方法，所述方法包括：(a)在远距腔室中将含有氧气和碳氟化合物的气体混合物活化，其中氧气和碳氟化合物的摩尔比至少是1∶4，使用足够的能量作用足够的时间使所述气体混合物达到至少约3,000K的中性温度以形成活化气体混合物；并且随后(b)将所述活化气体混合物与表面沉积物接触，由此去除至少某些所述表面沉积物。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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