[发明专利]探测半导体存储器中电阻开路缺陷的方法有效
| 申请号： | 200580009597.5 | 申请日： | 2005-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN1934655A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | M·阿齐曼 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 顾珊;陈景峻 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种探测半导体存储器中延迟故障的方法。在一个实施方案(100)中，根据用于测试半导体存储器的测试图案产生地址位和数据位(110)。验证地址位和数据位(120)并将其提供给半导体存储器的输入端口(130)。然后开始存储器操作(140，150，160，170)，使得地址位和数据位的提供与存储器操作的开始之间的时间间隔大约等于半导体存储器的工作时钟周期。这种时序确保了适当地在时间上给地址解码器和读出/写入电路施加压力，能够探测较小的延迟故障。 | ||
| 搜索关键词： | 探测 半导体 存储器 电阻 开路 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种探测半导体存储器中延迟故障的方法(100)，包括：根据适合用于测试半导体存储器的测试图案来提供(110，120)地址位和数据位；为半导体存储器的输入端口提供(130)地址位和数据位；和根据地址位开始(140，150)存储器操作，其中地址位和数据位的提供与存储器操作的开始之间的时间间隔大约等于半导体存储器的工作时钟周期。
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