[发明专利]立式热处理装置及移载机构的自动示教方法有效
申请号: | 200580009616.4 | 申请日: | 2005-03-25 |
公开(公告)号: | CN1934695A | 公开(公告)日: | 2007-03-21 |
发明(设计)人: | 浅利聪;三原胜彦;菊池浩 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;B25J9/22;B65G49/07;G05B19/19;G05B19/42;H01L21/22;H01L21/324 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及立式热处理装置(1)的移载机构(21),其具有可升降及可旋转的基台(25)和配置在该基台上的可进退并支承晶片(W)的多个基板支承件(20)。在基台(25)上,设置有向基板支承件(20)的前进后退方向射出光线、并利用该反射光检测目标部件的第一传感器(45);并在基板支承件(20)的两个前端部,设置有通过遮挡在两前端部之间行进的光线、检测目标部件的第二传感器(40)。在特定位置设有位置检测用的突起(49)和(50)的目标部件(44)设置于晶舟(8)的规定位置,基台(25)升降并旋转,且基板支承件(20)进退。根据此时所得的第一传感器(45)和第二传感器的检测信号,以及与基台(25)和基板支承件(20)的动作相关的各驱动系统的编码值,自动检测目标部件的位置,即晶片的目标移载位置。 | ||
搜索关键词: | 立式 热处理 装置 机构 自动 方法 | ||
【主权项】:
1.一种立式热处理装置,其特征在于,包括:热处理炉;保持件,其沿着上下方向以规定间隔分多级保持多片被处理体,并向所述热处理炉搬入搬出;移载机构,其具有可升降及可旋转的基台和设置在该基台上的可进退并支承被处理体的多个基板支承件,在以规定间隔收纳多片被处理体的收纳容器与所述保持件之间进行被处理体的移载;目标部件,其设置在所述保持件内或收纳容器内的被处理体应被移往的目标位置;第一传感器,其设置在所述基台上,并向所述基板支承件的前进后退方向射出光线,利用该反射光检测目标部件;第二传感器,其设置在所述基板支承件的两个前端部,通过遮挡在两个前端部之间行进的光线,检测目标部件;和控制部,其根据所述第一传感器和所述第二传感器的检测信号,以及与各检测信号相关的所述移载机构的驱动系统的编码值,推断出所述目标位置,并进行识别。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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