[发明专利]杂质引入方法、杂质引入设备及利用该方法形成的半导体器件无效
| 申请号： | 200580009622.X | 申请日： | 2005-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN1934681A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木雄一朗;中山一郎;水野文二 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明形成具有盒形杂质分布的杂质区。本发明提供一种杂质引入方法，包括引入所需杂质到固态基体的表面的步骤，及在该杂质引入步骤之后辐照等离子体到该固态基体的表面从而形成具有接近盒形的杂质分布的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 杂质 引入 方法 设备 利用 形成 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种杂质引入方法，包括：引入所需杂质到固态基体表面的步骤；及在该引入步骤之后辐照等离子体到该固态基体的该表面的步骤。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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