[发明专利]肖特基结合型半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200580009694.4 | 申请日： | 2005-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN1938857A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 中村智宣;土田秀一;三柳俊之 | 申请（专利权）人： | 财团法人电力中央研究所 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄威;张金海 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在碳化硅外延层的表面形成肖特基电极的肖特基结合型半导体装置的制造方法中，在碳化硅外延层的表面形成由钼、钨、或者它们的合金形成的肖特基电极之后，通过热处理，使合金化反应在碳化硅外延层和肖特基电极之间的界面上发生，从而在该界面形成合金层，据此，在保持n因子为几乎不变的低值的状态下，控制肖特基势垒高度。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 结合 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种肖特基结合型半导体装置的制造方法，是在碳化硅外延层的表面形成肖特基电极的肖特基结合型半导体装置的制造方法，其特征在于，在碳化硅外延层的表面形成由钼、钨、或者它们的合金构成的肖特基电极之后，通过热处理，使合金化反应在碳化硅外延层和肖特基电极之间的界面上发生，从而在该界面形成合金层，据此，在保持n因子为几乎不变的低值的状态下，控制肖特基势垒高度。
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