[发明专利]半导体基体上之薄膜及残留物之测量方法与设备无效
| 申请号： | 200580009709.7 | 申请日： | 2005-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1938578A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | Y·戈基斯 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/55 | 分类号： | G01N21/55 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;张志醒 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板上之材料特性之感测方法。此方法包括沿着在可具有一薄膜的一基板的一表面上面所定义的路径扫描。此基板是在出现时被设计成用以旋转。此方法包括于沿着此路径的多个点来感测薄膜的特性，并借由使用来自沿着此路径的多个点的信息来产生薄膜的测绘图。本发明也提供一种用以感测一基板上的材料特性的设备。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 基体 薄膜 残留物 测量方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包含以下步骤：旋转具有一薄膜的基板；横越过沿着该基板的一表面的路径扫描光学传感器；于沿着该路径的多个点利用该光学传感器来感测该薄膜的特性；以及使用来自沿着该路径的该多个点的信息产生该薄膜的测绘图。
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