[发明专利]纳米须晶的方向受控生长无效
| 申请号： | 200580009729.4 | 申请日： | 2005-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN1961100A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | W·塞弗特;L·I·萨穆尔森;B·J·奥尔森;L·M·博格斯特罗姆 | 申请（专利权）人： | 昆南诺股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/12 | 分类号： | C30B11/12;C30B25/00;C30B29/62 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘元金;段晓玲 |
| 地址： | 瑞典*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
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| 摘要： |
纳米须晶是通过调节核化条件以抑制优先方向上的生长而在非优先生长方向上生长的。在一种较好实施方案中，<001>III－V半导体纳米须晶是通过有效抑制优先 |
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| 搜索关键词： | 纳米 方向 受控 生长 | ||
【主权项】：
1.一种纳米须晶生长方法，包含：将一个催化微粒配置于一个基材表面上，该基材表面提供一个预定晶体平面；和使纳米须晶的至少一个基底部分从该催化微粒在一个预定生长方向即该纳米须晶的非优先生长方向上生长，将生长开始时的核化条件调整得能控制该催化微粒与该基材之间的界面，使得能将所述晶体平面作为所述基材表面保持在该界面上，从而能限定和稳定所述预定生长方向。
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