[发明专利]薄半导体器件和薄半导体器件的操作方法有效
| 申请号： | 200580009814.0 | 申请日： | 2005-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1938721A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;荒井康行;馆村祐子;长多刚 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G06K19/077 | 分类号： | G06K19/077;G06K17/00;G06K19/07;B42D15/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李春晖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种安全性得到增强的薄半导体器件，例如防止伪造或信息泄漏。本发明的一项特征是其中安装有多个薄膜集成电路，并且至少一个集成电路在规格、布局、收发频率、存储器、通信方式、通信规则等任一方面不同于其他集成电路的薄半导体器件。根据本发明，具有多个薄膜集成电路的薄半导体器件标签与读写器通信，至少一个薄膜集成电路接收信号以向存储器中写入信息，被写入存储器的信息确定哪个薄膜集成电路进行通信。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄半导体器件，包括：多个设有40nm到170nm厚的半导体膜的薄膜集成电路，其中，至少一个集成电路在天线的形状和布局、频率、通信方式、通信规则中的任意方面不同于其他集成电路。
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