[发明专利]具有增强迁移率的应变沟道的非平面体晶体管及制造方法有效
| 申请号： | 200580009823.X | 申请日： | 2005-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN101189730A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | N·林德尔特;S·M·切亚 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;张志醒 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种具有应变增强迁移率的三栅极体晶体管及其制造方法。本发明是一种具有应变增强迁移率的非平面晶体管及其制造方法。所述晶体管具有在半导体基片上形成的半导体主体，其中半导体主体具有侧向相对的侧壁上的顶面。在半导体主体的顶面和侧壁上形成半导体覆盖层。在半导体主体顶面上的半导体覆盖层上形成栅极绝缘层，并且在半导体主体的侧壁上的覆盖层上形成栅极绝缘层。在栅极绝缘层上及其周围形成具有一对侧向相对的侧壁的栅极电极。在栅极电极的相对的两侧，在半导体主体内形成一对源极/漏极区域。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 迁移率 应变 沟道 平面 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件包括：半导体基片上的半导体主体，所述半导体主体具有顶面和侧向相对的侧壁；半导体覆盖层，它形成在所述半导体主体的所述顶面上和所述侧壁上；栅极绝缘层，它形成在所述半导体主体的所述顶面和所述侧壁上的所述半导体覆盖层上；栅极电极，它具有在所述栅极绝缘层上并围绕所述栅极绝缘层而形成的一对侧向相对的侧壁；以及在所述栅极电极的相对的两侧上，在所述半导体主体内形成的一对源极/漏极区域。
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