[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200580009827.8 | 申请日： | 2005-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN1938860A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 黑崎彻;九里伸治;北田瑞枝;大岛宏介;宍户宽明;三川雅人 | 申请（专利权）人： | 新电元工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/41;H01L29/423;H01L29/47;H01L29/49;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供高耐压的半导体装置。由细长的主沟部26和与主沟部的长度方向侧面连接的副沟部27构成活性沟22a，在主沟部26的底面上，配置其高度低于第二导电型的基极扩散区32a的底面的第二导电型的埋入区24，在副沟部27内配置与基极扩散区32a接触的第二导电型的活性沟填充区25。埋入区24经由活性沟填充区25与基极扩散区32a接触。在1个活性沟22a内，在埋入区24以上的部分形成1个栅极沟83，因此不分断栅电极销48而简化电极图案。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中设有：具备第一导电型的导电层的处理衬底；在所述导电层的内部表面形成的第二导电型的基极扩散区；以及在所述导电层的所述基极扩散区配置的位置形成，且底部比所述基极扩散区的底面深的活性沟，所述活性沟包括细长的主沟部和与所述主沟部的长度方向侧面连接的副沟部，在所述主沟部的底面上配置其上部低于所述基极扩散区的第二导电型的埋入区，在所述主沟部的所述埋入区以上的部分构成栅极沟，在所述栅极沟的侧面配置栅极绝缘膜，在所述栅极沟内配置与所述栅极绝缘膜接触且与所述埋入区电气绝缘的导电性的栅电极销，在与所述基极扩散区的内部表面的所述栅极绝缘膜接触的位置，配置由所述基极扩散区与所述导电层分离的第一导电型的源极扩散区，在所述副沟部的底面上，配置了其上部与所述基极扩散区接触且下部与所述埋入区接触的第二导电型的活性沟填充区。
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