[发明专利]形成氧氮化物膜和氮化物膜的方法和装置、氧氮化物膜、氮化物膜和基材

摘要

均匀氧氮化物和氮化物膜可通过不依赖于的氮化时间或氮化温度的低温和高速氮化反应而形成。将固体电介质在300(托)或更高的压力下提供在相互相对的一对电极的至少一个相对表面上，将包含等于或低于0.2％的氧化物的氮气引入所述一对相对电极之间的空间，将电场施加到氮气上，并将所得N₂ (第二p.s.)或N₂ (H.I.R)活性物质与待加工的物体加成，在待加工的物体的表面上形成氧氮化物膜/氮化物膜。

主权项

1.一种形成氧氮化物膜的方法，包括：在接近大气压的压力下，在彼此相对的一对电极的相对面的至少一面提供固体电介质；将含有高于1ppm且等于或低于0.2％氧或氧化物的氮气的引入到所述一对相对的电极之间的空间；对氮气施加电场；以及将所得等离子与待加工的物体相接触，从而在待加工的物体表面生成氧氮化物膜。